1), LED개발 역사
가.1962년 GE가 GaAsP를 이용한 적색 LED를 발명했으며, 1968년부터 양산함.
나. 1980년대에는 AlGaAs 기술을 이용한 고휘도 적색 LED가 개발되면서 sign, signal, display 분야로 응용되기 시작됨.
다, 1 9 9 2년 InGaAlP 기술을 이용한 초고휘도 적색 LED가 개발되면서 교통신호등, 자동차 램프 등으로 활용되기 시작함.

라. 질화물 반도체는 1986년 일본의 아카사키 교수가 AlN 버퍼층을 이용하여 고품위 GaN 결정을 성장시켜 Mg 도핑후 LEEBI (low-energy electron beam irradiation) 후처리를 이용하여 2×1 01 6c m- 3
의 정공 농도를 얻은 결과를 바탕으로 1991년에 p-n 접합식의 GaN LED 개발.
마. 1993년에는 니치아의 나카무라 슈지 박사가 저온에서 성장된 GaN 버퍼를 사용하여 양질의
질화물계 박막을 성장하였고, 그 후 InGaN/GaN 다중양자 우물층을 활성층으로 한 고휘도 청색 LED가 개발됨.
바. 2000년 InGaAlP 적색 LED 방사효율이 100 lm/W를 기록하면서 형광등(80 lm/W)을 능가하는 효율을 보임.
- 2000년 전후로 RGB 및 백색 L E D의 효율과 출력이 빠른 속도로 증가하면서 휴대용 단말기 LCD 백라이트, 자동차, 전광판, 특수 조명분야 등 응용범위가 넓어지기 시작함



LED발전역사


LED 램프계열


2). UV LED의 특징

3). 고효율및 고출력 UV LED 개발 포인트
(이 부분은 LED 기부터 팩키징 까지의 LED 의 효율을 높이고 생산성을 올리는 데 관련된 자료이므로 LED 칩 개발 엔지니어가 아니라면 읽을 필요는 없다)

가. 기판
○ LED 기판용 재료는 GaN LED의 경우 Sapphire, SiC, GaN, Si 등이 사용되며, 단가 문제 등으로 인해 주로 Sapphire 기판을 사용하며 Cree에서는 SiC 기판을 사용하기도 함.( InGaAlP 및 AlGaAs 계열 LED는 GaAs 기판을 사용함).
○ GaN 기판은 격자부정합이 없는 동종 기판이어서 결함제어가 용이하지만 고가이고 수율이 낮다..
○ Si 기판은 저렴하고 대형기판 적용이 가능하기 때문에 저가격화에 가장 유리하며 열 방출에도 용이하여 몇몇 기업에서 시도하고 있지만 격자부정합이 크고 Sapphire에 비해 soft한 재료이기 때문에 결함제어가 어렵고 동작전압이 높다는 단점이 있다.

나. 에피택시 성장(Epitaxy)
○ LED 기본 성장구조

[ 질화물계 LED 기본 구조 ]

다. GaInN 에피층(epitaxy layer) 성장

라. 양자점(Quantum dot) 구조 성장

마. 측면 에피택시 성장